1mm InGaAs PIN fotodiode TO46

Produktoversikt-1mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

1 mm InGaAs PIN-fotodiode (modell BPD-1STO46B-FW) fra Box Optronics er en høyytelses InGaAs-fotodetektor designet for nær-infrarød (NIR) deteksjonsapplikasjoner. Med en PIN-diodestruktur konverterer den innfallende optisk kraft i bølgelengdeområdet 900–1650 nm til en proporsjonal fotostrøm med høy linearitet og følsomhet. Har et aktivt område på 1 mm i diameter. Pakket i en hermetisk TO46 metallboks med et flatt optisk vindu, er fotodioden mekanisk robust, noe som sikrer stabil ytelse under krevende industrielle og laboratorieforhold. Disse egenskapene gjør den til et utmerket valg for optisk effektovervåking, fiberoptisk testmåling, laserdeteksjon og NIR-spektroskopi.

Nøkkelfunksjoner-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Diameter av det aktive området: 1 mm for effektiv lysoppsamling

• Bredt spektralt responsområde: 900nm til 1650nm

• Høy responsivitet: 0,9A/W typisk ved 1310nm, 0,95A/W ved 1550nm

• Ultralav mørk strøm, lav koblingskapasitans

• Høy pålitelighet og langsiktig stabilitet

• Hermetisk TO46 metallpakke med flatvindu

• Standard TO-CAN-konfigurasjon for enkel montering

Typiske bruksområder-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Optiske strømmålere og optiske strømovervåkingsmoduler

• Fiberoptisk test- og måleutstyr

• Optisk signaldeteksjon og strømovervåking i telekomsystemer

• Nær-infrarød (NIR) spektroskopi og analytiske instrumenter

• Laserstrømovervåking og kontrollsystemer

• Optisk attenuator kalibrering og karakterisering

• Forskning og utvikling i fotonikklaboratorier

• Optisk modulintegrasjon og fotonisk delsystemutvikling

Tekniske spesifikasjoner-1mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Absolutte maksimumsvurderinger (TC = 25 °C)

Elektro-optiske egenskaper (TC = 25°C)

Produktdetaljer-1mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Hva er en InGaAs PIN-fotodiode?

En InGaAs PIN-fotodiode er en høyfølsom halvlederdetektor designet for nær-infrarød (NIR) optisk deteksjon. Basert på en P-I-N-halvlederstruktur, konverterer den innfallende fotoner til fotostrøm med utmerket linearitet og stabilitet.

InGaAs-fotodioder opererer fra 900nm til 1700nm og gir høy respons på tvers av de optiske kommunikasjonsbåndene og SWIR-regionen, noe som gjør dem egnet for fiberoptisk testing, optisk effektovervåking, spektroskopi og sensingapplikasjoner.

Det aktive området på 1 mm tilbyr forbedret lysinnsamlingsevne og forbedret koblingstoleranse, og gir en utmerket balanse mellom følsomhet, innrettingsfleksibilitet og deteksjonshastighet.

Ytelseshøydepunkter-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Høy responsivitet og kvanteeffektivitet

• Ultra-lav mørk strøm

• Lav kapasitet og rask respons

• Bred spektral dekning

• Hermetisk TO46-pakke

Pakkedimensjoner og stiftdefinisjon-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Pakketype: TO46 hermetisk metallboks, flatt vindu (TO-CAN 3-pins)

Beholderdiameter: φ5,4 ± 0,2 mm (ytre), φ4,7 ± 0,1 mm (indre)

Vindusdiameter:φ3,9 ± 0,1 mm

Pinnekonfigurasjon (sett fra neden): Pinne 1 = Anode (P-side), Pinne 2 = Hus (GND), Pinne 3 = Katode (N-side)

Bestillingsinformasjon

Modellnomenklatur

BPD - X X TIL XX - X - X

Eksempel: BPD-1STO46B-FW

Datablad-1mm InGaAs PIN Fotodiode TO46

Datablad

Ledetid

• Standardenheter (modeller på lager): 3–5 virkedager

• Standardproduksjon: 10~15 virkedager

• Volumbestillinger: Ta kontakt for produksjonsplan

• Internasjonal frakt: ~5 virkedager (DHL/UPS/FedEx Express)

• Fremskyndet tjeneste: Tilgjengelig på forespørsel

Bruksmerknader og håndtering-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Fotodioder er enheter som er følsomme for elektrostatisk utladning – bruk alltid riktig ESD-beskyttelse

• Unngå å berøre ledningene direkte med bare fingre for å forhindre kontaminering og ESD-skade

• Oppbevar ubrukte enheter i ESD-sikker emballasje eller ledende skuffer for å forhindre skade på elektrostatisk utladning